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Product Selection
产品选型
——
中低压MOS(20-150V)

30-150V小体积大电流DFN3*3-8、TO-252、SOP-8、SOT23-3、SOT89-3全系列NMOS

产品不断更新,请跟我司销售员联系


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不同的mos管特点不一样,简单描述如下:

平面mos:

优点:EAS雪崩等参数比较大,很耐电流冲击。缺点是:结电容等非常大,开关损耗非常大。驱动电流比较大,不好驱动。

SGT工艺mos:

优点:Qg、Ciss等参数很小,开关损耗非常小,适合高频开关,特别是电流上来之后。驱动电压低,驱动电流小,非常好驱动,对芯片驱动要求不高。

缺点:EAS雪崩等参数比较小。

沟槽mos:

则是介于平面mos管跟SGTmos之间。

由于mos管的损耗=导通内阻损耗+mos管开关损耗,同等内阻的情况下,SGT工艺的mos管结电容Qg跟Ciss最小,所以开关损耗是非常小的,高频大电流的情况下,mos管开关损耗可能占整体损耗的90%。mos管另外需要关注开启电压Vth、Vgs耐压等。


mos管选型建议:

1、需要扛电流冲击的,普通逻辑开关或者工作频率很低比如50kHZ以内的,电流非常大的情况比如实际工作6A以上的话一般建议选择平面mos管。6A以内的应用,大电流沟槽型mos管即可。

2、需要高频开关,比如500kHZ以上的,则需要选择沟槽型或者SGT型的mos管,开关损耗占比非常小。

3、普通的PWM控制芯片搭配,应用于控制脉宽调制的,100-300KHZ芯片开关工作频率的话,可以选择沟槽型或者SGT型号,根据电流大小及开关频率决定。此应用领域相对来说SGT的产品性能会好很多,但是价格相对高些。mos管的损耗=导通内阻损耗+mos管开关损耗。

4、一些对空间体积要求非常好的应用,一般选择小体积超薄封装DFN的mos管,特别是电流较大工作频率较高的时候。

5、我司的mos管产品不适合电动车控制器比如80V100A、150A、200A那种等需要扛大电流冲击的应用领域。最适合用的领域就是芯片+mos管的驱动方式、5A以内的普通逻辑开关或者高频开关应用。



型号
封装

Rdson

(VGS= 10V)

Rdson

( VGS=4.5V)

Bvdss
ID
Ciss
type Vth
类型
应用领域


HC3039P

20201201



SOT89-3


/18mΩ30V20A445pF1.8V沟槽型NMOS

电脑主板

蓝牙音响

电子烟

大电流RGB灯带调光

LED车灯

手机无线充

逆变系统

HC005N03L

20201201

TO-252


5.8mΩ


9mΩ
30V
70A
1110pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC020N03L

20201201

TO-252


13mΩ


22mΩ
30V
30A
445pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC020N03LD

20201106

TO-252


15mΩ


18mΩ
30V20A216pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC3600M

20201201


SOT23

(小23)


16mΩ


22mΩ
30V
8A
445pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC3600MD

20201201

PDFN3333


13.5mΩ


23mΩ
30V
25A
455pF
1.8V+1.8V

沟槽型双MOS

HC3600G

20201106


SOT23

(小23)


21mΩ35mΩ30V4.5A330pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC009N03L

20201201

TO-252


8mΩ


12
30V
55A
845pF
1.7V

沟槽型NMOS

HC3800M

20201201

PDFN3333


13.5mΩ


23mΩ
30V
25A
455pF
1.9V

沟槽型NMOS

HC3400S

20201201


SOT23

(小23)


/45mΩ30V4A235pF0.8V

沟槽型NMOS

HC3400M

20201201


SOT23

(小23)



27mΩ


35mΩ
30V
5.8A
635pF
0.7V

沟槽型NMOS

HC010N04L

20201201

TO-252


6.6mΩ


10mΩ
40V
64A
2060pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC012N06L

20201201

TO-252


9.5mΩ


13.5mΩ
55V
55A
1030pF
1.8V

沟槽型NMOS

车灯照明

车载电子

电动车应用

LED去频闪

LED升降压照明太阳能电源

HC012N06LS

20201201

SOP-8


13mΩ


15mΩ
55V
12A
1030pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC6013P

20201106


SOT89-3


/17mΩ
60V
40A
1050pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC017N06L

20201106

TO-252


17mΩ


21mΩ
60V
40A
1030pF
1.5V

沟槽型NMOS

HC015N06LS

20201201

SOP-8



17mΩ


24mΩ
55V
11A
1270pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC037N06L

20201201

TO-252


28mΩ


30mΩ
60V
30A
650pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC080N06L

20201201

TO-252


58mΩ


70mΩ
60V
17A
435pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC037N06LS

20201201

SOP-8


31mΩ


34mΩ
60V
8A
650pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC706

20201201

SOP-8

   

60mΩ


70mΩ
60V
7A
435pF
1.7V

沟槽型NMOS

HC080N06LS

20201201

SOT23

(小23)


72mΩ


90mΩ
60V
6A
435pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC007N08H

20201201

TO-220



6.8mΩ


7.5mΩ
75V
80A
435pF
1.7V

沟槽型NMOS

HC230N08LS

20201106

SOT23

(小23)


230mΩ


255mΩ
85V
4A
405pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC8564P

20201106


SOT89-3


/
235mΩ
85V
4A
225pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC1040P

20201106


SOT89-3


/
80mΩ
100V
12A
1000pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC018N10L

20201201

TO-252



18mΩ


22mΩ
100V
39A
1100pF
1.8V

沟槽型NMOS

超低结电容

超低开启电压

HC018N10LS

20201201

SOP-8


18mΩ


22mΩ
100V
10A
1100pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC021N10L-A

20201201

TO-252


20mΩ


22mΩ
100V
35A
1880pF
1.7V

沟槽型NMOS

车灯照明

电弧打火机

HC021N10L-B

20201201

TO-252


20mΩ


22mΩ
100V
35A
1880pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC040N10L

20201201

TO-252


37mΩ


48mΩ
100V
25A
2000pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC030N10L

20201106

TO-252


24mΩ


28mΩ
100V
30A
2000pF
1.5V

沟槽型NMOS

低Vth

电弧打火机专用

HC080N10L-A

20201201

TO-252


70mΩ


76mΩ
100V
17A
525pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC080N10L-B

20201201

SOP-8/

TO-252


70mΩ


76mΩ
100V
17A
525pF
1.6V

沟槽型NMOS

加湿器

雾化器

美容仪

香薰机

HC080N10G

20201106

TO-252


70mΩ


79mΩ
100V
15A
1200pF
1.9V

沟槽型NMOS

HC080N10GS

20201106

SOT23-3


/


80mΩ
100V
6A
1050pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC085N10L-A

20201201

SOT89-3


71mΩ


73mΩ
100V
15A
436pF
1.7V

沟槽型NMOS

HC085N10L-B

20201201

SOT89-3


71mΩ


73mΩ
100V
15A
436pF
1.7V

沟槽型NMOS

HC160N10L

20201201

TO-252


135mΩ


145mΩ
100V
10A
405pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC160N10LS

20201201

SOT23

(小23)


145mΩ


155mΩ
100V
5A
405pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC240N10LS

20201201

SOT23

(小23)


210mΩ


215mΩ
100V
3A
130pF
1.8V

沟槽型NMOS

车灯照明

车载电子

电动车应用

LED去频闪

LED升降压照明

太阳能电源

HC012N12L

20201201

TO-220C


11.5mΩ


13mΩ
120V
68A
3910pF
1.7V

沟槽型NMOS

HC240N15L

20201201

TO-252


245mΩ


240mΩ
150V
8A
855pF
1.7V

沟槽型NMOS

HC240N15LS

20201201

SOT23

(小23)


245mΩ


240mΩ
150V
2A
855pF
1.7V

沟槽型NMOS





型号
封装

Rdson

(VGS=10V)

Rdson

(VGS=4.5V)

Bvdss
ID
Ciss
type Vth
类型
应用领域

HC3017D

20201201


DFN3333




5.8mΩ


9mΩ
30V
70A
1110pF
1.8V

沟槽型NMOS

小体积

散热好

强烈推荐


车灯照明

车载电子

电动车应用

LED去频闪

LED升降压照明

太阳能电源

舞台灯照明

HC3022D

20201201



DFN3333




7.5mΩ


13mΩ
30V
45A
852pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC3039D

20201201



DFN3333




12.5mΩ


24mΩ
30V
25A
459pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC5511D

20201201



DFN3333



10.5mΩ

13.5mΩ
55V
40A
1033pF
1.7V

沟槽型NMOS

HC6019D

20201201


DFN3333



29mΩ

32mΩ
60V
20A
650pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC6033D

20201201


DFN3333




58mΩ


70mΩ
60V
13A
435pF
1.7V

沟槽型NMOS

HC1006D

20201201

DFN3333



22mΩ


24mΩ
100V
30A
2100pF
1.8V

沟槽型NMOS


HC1019D

20201201


DFN3333


77mΩ


82mΩ
100V
14A
551pF
1.7V

沟槽型NMOS

HC1033D

20201201


DFN3333


143mΩ
150mΩ
100V
8A
405pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC1519D

20201201



DFN3333


238mΩ
242mΩ
150V
6A
855pF
1.7V

沟槽型NMOS

HG004N03L

20201106



TO-252


4.8mΩ7.8mΩ30V75A745pF1.8V

SGT工艺NMOS

高频率

大电流


SGT工艺

开关损耗小


各类照明应用

太阳能电源

加湿器

美容仪

等电源开关应用


HG3019D

20201106



DFN3333


4.8mΩ7.8mΩ30V68A745pF1.8V

SGT工艺NMOS

HG012N06LS

20201201


SOP-8


11mΩ
14mΩ
60V
12A
550pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG012N06L

20201201



TO-252


11mΩ
14mΩ
60V
50A
550pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG012N06H

20201106



TO-252


11mΩ
15mΩ
60V
50A
550pF
1.8V

SGT工艺NMOS


HG012N06HS

20201106



SOP-8


10.5mΩ
17mΩ
60V
13A
780pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG5511D

20201201


DFN3333


11mΩ
14mΩ
60V
40A
550pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG008N06L

20201106


TO-252


8mΩ
10mΩ
60V
70A
650pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG008N06LS

20201106


SOP-8


8mΩ
10mΩ
60V
16A
660pF
1.6V

SGT工艺NMOS

HG6025D

20201106


DFN3333


8mΩ
10mΩ
60V
70A
650pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG160N10LS

20201201


SOT23-3


115mΩ
135mΩ
100V
5A
201pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG1046S

20201201


SOP-8


110mΩ
130mΩ
100V
8A
201pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG1033D

20201201


DFN3333


110mΩ
130mΩ
100V
8A
201pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG160N10L

20201201


TO-252


110mΩ
130mΩ
100V
8A
201pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG080N10L

20201201


TO-252


50mΩ
60mΩ
100V
15A
310pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG1019D

20201201


DFN3333


50mΩ
60mΩ
100V
15A
310pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG1006D

20201201


DFN3333


25mΩ
30mΩ
100V
25A
839pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG1006DA

20201201


PDFN5*6


20mΩ
24mΩ
100V
25A
839pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG021N10L-A

20201201


TO-252


25mΩ
30mΩ
100V
25A
839pF
1.6V

SGT工艺NMOS


HG018N10LS

20201106


SOP-8

20mΩ
24mΩ
100V
12A
839pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG012N06H

20201201


TO-252


11mΩ
15
60V
50A
550pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG3019P

20201106


SOT89-3


/
5mΩ
30V
50A
745pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG6013P

20201106


SOT89-3


/
15mΩ
60V
40A
550pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG6025P

20201106


SOT89-3


/
9mΩ
60V
65A
650pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG1046P

20201106


SOT89-3


/
120mΩ
100V
5A
245pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG1023P

20201106


SOT89-3


/
70mΩ
100V
15A
600pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG1029P

20201106


SOT89-3


/
21mΩ
100V
20A
839pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG510S

20201106


SOT23-3L(大23)


/
110mΩ
100V
5A
225pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HC1549S

20201106


SOT23

(小23)


/700mΩ150V0.5A/
1.8V
沟槽型NMOS

HC7002

20201106


SOT23

(小23)


/1.6Ω60V0.1A/
1.8V
沟槽型NMOS

HC1535S

20201106


SOT23

(小23)


/
450mΩ
150V
1A
/
2.5V

SGT工艺NMOS


备注:

1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流,实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。

2. 建议在MOS的栅源(G/S)极之间并一个电阻(10K)和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源(G/S)极过压的作用。

3.建议MOS管的开启电压尽量提高,这样MOS管才能充分开启导通,这个时候内阻最小,不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上,中高压MOS的开启电压设定为10V以上.

4.MOS 电路操作注意事项:

静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏:

• 操作人员要通过防静电腕带接地。

• 设备外壳必须接地。

• 装配过程中使用的工具必须接地。

• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

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