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Product Selection
产品选型
——
中低压MOS(20-150V)

30-150V小体积大电流DFN3*3-8、TO-252、SOP-8、SOT23-3、SOT89-3全系列NMOS

产品不断更新,请跟我司销售员联系


不同的mos管特点不一样,简单描述如下:

平面mos:

优点:EAS雪崩等参数比较大,很耐电流冲击。缺点是:结电容等非常大,开关损耗非常大。驱动电流比较大,不好驱动。

SGT工艺mos:

优点:Qg、Ciss等参数很小,开关损耗非常小,适合高频开关,特别是电流上来之后。驱动电压低,驱动电流小,非常好驱动,对芯片驱动要求不高。

缺点:EAS雪崩等参数比较小。

沟槽mos:

则是介于平面mos管跟SGTmos之间。

由于mos管的损耗=导通内阻损耗+mos管开关损耗,同等内阻的情况下,SGT工艺的mos管结电容Qg跟Ciss最小,所以开关损耗是非常小的,高频大电流的情况下,mos管开关损耗可能占整体损耗的90%。mos管另外需要关注开启电压Vth、Vgs耐压等。


mos管选型建议:

1、需要扛电流冲击的,普通逻辑开关或者工作频率很低比如50kHZ以内的,电流非常大的情况比如实际工作6A以上的话一般建议选择平面mos管。6A以内的应用,大电流沟槽型mos管即可。

2、需要高频开关,比如500kHZ以上的,则需要选择沟槽型或者SGT型的mos管,开关损耗占比非常小。

3、普通的PWM控制芯片搭配,应用于控制脉宽调制的,100-300KHZ芯片开关工作频率的话,可以选择沟槽型或者SGT型号,根据电流大小及开关频率决定。此应用领域相对来说SGT的产品性能会好很多,但是价格相对高些。mos管的损耗=导通内阻损耗+mos管开关损耗。

4、一些对空间体积要求非常好的应用,一般选择小体积超薄封装DFN的mos管,特别是电流较大工作频率较高的时候。

5、我司的mos管产品不适合电动车控制器比如80V100A、150A、200A那种等需要扛大电流冲击的应用领域。最适合用的领域就是芯片+mos管的驱动方式、5A以内的普通逻辑开关或者高频开关应用。



型号
封装

Rdson

(VGS= 10V)

Rdson

( VGS=4.5V)

Bvdss
ID
Ciss
type Vth
类型


HG3019P

20201201


SOT89-3

/5mΩ30V50A745pF1.8VSGT工艺NMOS

HG004N03L

20201201

TO-252


4.8mΩ


7.8mΩ
30V
75A
745F
1.8V

SGT工艺NMOS

HC005N03L

20201201

TO-252


5.8mΩ


9mΩ
30V
70A
1110pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC006N03M

20201106

TO-252


5.5mΩ


8.5mΩ
30V70A/
1.5V

沟槽型NMOS

HG3019D

20201201

PDFN3*3


4.8mΩ


7.8mΩ
30V
68A
745pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HC009N03L

20201201

TO-252


8mΩ


12mΩ
30V
55A
920pF
1.5V

沟槽型MOS

HC008N03M

20201106

TO-252


8mΩ


12mΩ
30V
55A
/
1.5V

沟槽型NMOS

HC3022D

20201201

PDFN3*3


7.5mΩ


13
30V
45A
852pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC3039P

20201201

SOT89-3


/


18mΩ
30V
20A
445pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC3039D

20201201


PDFN3*3


12.5mΩ24mΩ30V25A459pF1.8V

沟槽型NMOS

HC020N03L

20201201


TO-252



13mΩ


22mΩ
30V
30A
445pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC013N03M

20201201

TO-252


13mΩ


16mΩ
30V
40A
/
1.5V

沟槽型NMOS

HC3600M

20201201

SOT23


16mΩ


22mΩ
30V
8A
445pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC3400M

20201201

SOT23


21mΩ


27mΩ
30V
5.8A
635pF
0.85V

沟槽型NMOS

HC3600G

20201106


SOT23-3L


21mΩ35mΩ
30V
4.5A
330pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC3400Y

20201106


SOT23-3L



/


27mΩ
30V
5.7A
835pF
0.85V

沟槽型NMOS

HC3404Y

20201201

SOT23-3L


/


27mΩ
30V
5.7A
835pF
1.5V

沟槽型NMOS

HC030N03L

20201201

TO-252


/


25mΩ
30V
20A
745pF
1V

沟槽型NMOS

HC3400S

20201201

SOT23


/


45mΩ
30V
4A
235pF
0.8V

沟槽型NMOS

HC7002

20201201

SOT23


/


1.6mΩ
60V
0.1A
/
1.8V

沟槽型NMOS

HG6037D

20201201

PDFN3*3

   

10mΩ


14mΩ
60V
40A
742pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG008N06LS

20201201

SOP-8


8mΩ


10mΩ
60V
16A
660pF
1.6V

SGT工艺NMOS

HG6025P

20201201

SOT89-3


8mΩ


10mΩ
60V
65A
650pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG008N06L

20201106

TO-252


8mΩ


10mΩ
60V
70A
650pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG012N06HS

20201106


SOP-8


10.5mΩ

17mΩ
60V
13A
780pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG5511D

20201106


PDFN3*3


11mΩ
14mΩ
60V
40A
550pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG012N06H

20201201

TO-252


11mΩ


15mΩ
60V
50A
550pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG011N06L

20201201

TO-252


10mΩ


14mΩ
60V
50A
742pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG6013P

20201201

SOT89-3


/


15mΩ
60V
40A
550pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HC6013P

20201201

SOT89-3


/


17mΩ
60V
40A
1050pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC015N06L

20201201

TO-252


12mΩ


15mΩ
60V
50A
1050pF
1.5V

沟槽型NMOS

HC017N06L

20201106

TO-252


17mΩ


21mΩ
60V
40A
1030pF
1.5V

沟槽型NMOS

HC031N06L

20201201

TO-252


26mΩ


36mΩ
60V
25A
1082pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC037N06L

20201201

TO-252


28mΩ


30mΩ
60V
30A
650pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC6024P

20201106

SOT89-3


/


30mΩ
60V
12A
650pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC6019D

20201106

PDFN3*3


29mΩ


32mΩ
60V
20A
650pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC037N06LS

20201201

SOP-8


31mΩ


34mΩ
60V
8A
650pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC080N06L

20201201

TO-252


58mΩ


70mΩ
60V
17A
435pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC070N06L

20201201

TO-252


65mΩ


80mΩ
60V
15A
435pF
1.5V

沟槽型NMOS

HC706

20201201

SOP-8


60


70mΩ
60V
7A
435pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC080N06LS

20201201

SOT23-3


72mΩ


90mΩ
60V
6A
435pF
1.5V

沟槽型NMOS

HC070N06LS

20201201

SOT23-3


65mΩ


80mΩ
60V
6A
435pF
1.5V

沟槽型NMOS

HC230N08LS

20201201

SOT23-3


230mΩ


255mΩ
85V
4A
405pF
1.8V

沟槽型NMOS

HG010N10L

20201201

TO-252


9mΩ


12mΩ
100V
70A
1630pF
1.5V

SGT工艺NMOS



型号
封装

Rdson

(VGS=10V)

Rdson

(VGS=4.5V)

Bvdss
ID
Ciss
type Vth
类型

HG1015DA

20201201


PDFN5*6



9mΩ


12mΩ
100V
70A
1630pF
1.5V

SGT工艺NMOS

HG013N10L

20201201


TO-252



13mΩ


16mΩ
100V
45A
1800pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG1006DA

20201201


PDFN5*6



20mΩ


24mΩ
100V
25A
839pF
1.6V

SGT工艺NMOS

HG018N10LS

20201201


SOP-8


20mΩ

24mΩ
100V
12A
839pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HC1006D

20201201


PDFN3*3


22mΩ

24mΩ
100V
30A
2100pF
1.3V

沟槽型NMOS

HC025N10L

20201201


TO-252



24mΩ


28mΩ
100V
45A
2000pF
1.2V

沟槽型NMOS

HC8N10

20201201

SOP-8


27mΩ


28mΩ
100V
8A
2000pF
1.2V

沟槽型NMOS


HG021N10L

20201201


TO-252


25mΩ


30mΩ
100V
25A
893pF
1.6V

SGT工艺NMOS

HG024N10L

20201201


PDFN3*3


29mΩ
34mΩ
100V
25A
/
1.6V

SGT工艺NMOS

HG1006D

20201201


PDFN3*3


25mΩ
30mΩ
100V
25A
839pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HC1019D

20201106



PDFN3*3



44mΩ50mΩ100V14A551pF1.7V

沟槽型NMOS


HC1017D

20201106



DFN3333


95mΩ100mΩ100V15A632pF1.7V

沟槽型NMOS

HG080N10L

20201201


TO-252


75mΩ
95mΩ
100V
15A
310pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HC080N10G

20201201


TO-252


70mΩ
79mΩ
100V
15A
1200pF
1.9V

SGT工艺NMOS

HC070N10L

20201106


TO-252


90mΩ
100mΩ
100V
15A
/
1.2V

沟槽型NMOS


15N10

20201106



SOP-8


70mΩ
79mΩ
100V
15A
1200pF
1.9V

沟槽型NMOS

HC13N10

20201201


SOP-8


90mΩ
100mΩ
100V
15A
/
1.2V

沟槽型NMOS

HG15N10

20201106


SOP-8


75mΩ
95mΩ
100V
15A
310pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HC1040P

20201106


SOT89-3


/
80mΩ
100V
12A
1000pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC080N10GS

20201106


SOT23-3


/
80mΩ
100V
6A
1050pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC070N10S

20201201


SOT23-3


/
100mΩ
100V
6A
/
1.2V

沟槽型NMOS

HC6N10

20201201


SOT23-3


/
80mΩ
100V
6A
/
1.2V

沟槽型NMOS

HC090N10L

20201201


TO-252


80mΩ
90mΩ
100V
15A
632pF
1.7V

沟槽型NMOS

HC1017P

20201201


SOT89-3


80mΩ
90mΩ
100V
12A
1100pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC12N10

20201201


SOP-8


80mΩ
90mΩ
100V
12A
1100pF
1.6V

沟槽型NMOS

HG610A

20201201


SOT23


80mΩ
90mΩ
100V
5A
180pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG510S

20201201


SOT23-3


/
110mΩ
100V
5A
225pF
1.8V

SGT工艺NMOS

HG1033D

20201201


PDFN3*3


110mΩ
130mΩ
100V
8A
201pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG1046S

20201201


SOP-8


110mΩ
130mΩ
100V
8A
201pF
1.7V

SGT工艺NMOS


HG160N10L

20201106


TO-252

110mΩ
130mΩ
100V
8A
201pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HG160N10LS

20201201


SOT23-3


115mΩ
135
100V
5A
201pF
1.7V

SGT工艺NMOS

HC1033D

20201106


PDFN3*3


143mΩ
150mΩ
100V
8A
405pF
1.6V

沟槽型NMOS

HC240N10LS

20201106


SOT23-3


210mΩ
215mΩ
100V
3A
130pF
1.8V

沟槽型NMOS

HC230N10LS

20201106


SOT23-3


210mΩ
215mΩ
100V
3A
/
1.8V

沟槽型NMOS

HC1545W

20201106


PDFN3*3


112mΩ
119mΩ
150V
13A
1600pF
1.9V

沟槽型NMOS

HC120N15L

20201106


TO-252


122mΩ
119mΩ
150V
15A
1600pF
1.9V

沟槽型NMOS

HG1541S

20201106


SOT23-3


180mΩ
200mΩ
150V
2A
/
2.5V

SGT工艺NMOS

HG200N15LS

20201106


SOP-8


180mΩ
200mΩ
150V
5A
/
2.5V

SGT工艺NMOS

HG200N15LT

20201106



TO-252



180mΩ200mΩ150V5A/
2.5V
SGT工艺NMOS

HC1519D

20201106



PDFN3*3


242mΩ238150V6A855pF
1.8V
沟槽型NMOS

HC240N15L

20201106


TO-252


245
240mΩ
150V
8A
855pF
2V
沟槽型NMOS

HC1535S

20201106


SOT23


/
450mΩ
150V
1A
/
2.5V
沟槽型NMOS

HC1549S

20201106


SOT23


/
700mΩ
150V
0.5A
/
1.8V

沟槽型NMOS



型号
封装

Rdson

(VGS=-10V)

Rdson

(VGS=-4.5V)

Bvdss
ID
Ciss
type Vth
类型

HC3401M

20201201


SOT23



<55mΩ


75mΩ
-30V
-4.5A
880pF
-1V

沟槽型PMOS

HC3407Y

20201201


SOT23



80mΩ


<80
-30V
-3.3A
680pF
-1.6V

沟槽型PMOS

HC090P10L

20201201


TO-252



117mΩ


<117
-100V
-19A
3700pF
-1.8V

沟槽型PMOS


备注:

1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流,实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。

2. 建议在MOS的栅源(G/S)极之间并一个电阻(10K)和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源(G/S)极过压的作用。

3.建议MOS管的开启电压尽量提高,这样MOS管才能充分开启导通,这个时候内阻最小,不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上,中高压MOS的开启电压设定为10V以上.

4.MOS 电路操作注意事项:

静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏:

• 操作人员要通过防静电腕带接地。

• 设备外壳必须接地。

• 装配过程中使用的工具必须接地。

• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

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