最 新 公 告
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Scheme Introduction
PD快充MOS管应用方案
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       随着智能手机、平板电脑等移动设备的快速普及,以及移动网络的高速发展,人们对电子设备的需求和依赖程度越来越高。愈加强大的功能以及不断增大的屏幕使得电子设备的耗电量加快,因此人们对于电池的充电效率及充电时间也有了更高的要求,推动着快充技术的发展。  
       快速充电已经成为当下智能手机发展的新趋势,传统的USB充电器也将会被新一代的快速充电器所取代,另外,快充的兴起也带动了相关MOSFET需求的增长。
      在USB PD协议的快充电源方案中,用于整流同步的MOS管,可以保证在快充电源提高电压来达到高电流高功率充电时的用电安全性。而低电压高电流充电的“闪充”对同步整流的MOS管要求更为严苛。
      惠海半导体推出的一款高性能低内阻SGT工艺MOS管HG5511D可应用于 PD 快充充电器同步整流位置,内阻仅11mΩ,可以解决充电器功耗大发热的问题;超低的Ciss(550pF)能够较大限度地降低开关损耗,提高转换效率;同时采用了小尺寸的DFN封装,能够节约占板面积,对于越来越小的充电器体积来说,是一个很好的选择。HG5511D在各大快充电源终端厂商 18W 、27W 、33W等项目中均有广泛使用,并获得青睐。该产品可以作为电源驱动(DC-DC转换)、同步整流、开关线路应用等,适用于小家电、消费电子等场景使用。
1.【HG5511D参数特点

HG5511D:SGT工艺NMOS,高频率,大电流,低内阻,小体积,低结电容,快充专用MOS管
更多MOS管选择:
2.【HG5511D快充方案框架图

3.【惠海半导体其他MOS管封装及应用


•  常用封装:DFN3333、SOT89-3、SOT23-3、SOP-8、TO-252、TO-220等
•  常用型号:3400、5N10、10N10、17N10、25N10、17N06、30N06、50N06、70N06、20N03、30N03、50N03、70N03等
•  应用领域:小家电(加湿器、雾化器、香薰机、美容仪、榨汁机、暖奶器、咖啡机等)、LED照明(舞台灯、车灯、灯带调光等)、快速充电器(手机、笔记本、平板、VR等)、移动电源、无线充、3C数码、安防设备、测量仪器、可穿戴设备、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗设备、智能家居、电脑主板显卡、BMS 、POE、GPS、蓝牙耳机、蓝牙音箱、电弧打火机、电子烟、车载电子、汽车音响、液晶显示器、太阳能电源、逆变系统、无刷伺服电机等产品。


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